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总投资12亿项目落户锦州光伏产业园
2009-10-19 08:55:46
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  我市光伏产业又一重大项目落户光伏产业园——总投资12亿元,深圳中洋田电子技术有限公司在锦建设聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)项目。近期,该公司将完成核名注册等手续。
  据市光伏产业发展局工作人员介绍,“十一”前夕,深圳中洋田电子技术有限公司负责人来锦洽谈在光伏产业园区投资建厂事宜。经协商,最后签订了在锦建设聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)项目合作协议。协议签订后,市光伏产业发展局工作人员带领中洋田公司及中国电子工程设计院的负责人到光伏产业园区选择了厂址,并向中国电子工程设计院提供了建设区域的红线图、地形图、工程地质等资料,目前工程设计等各项前期工作已全面展开。
  光伏产业园位于辽宁省沿海经济带重点发展区域娘娘宫临港产业园区,规划占地13.6平方公里,起步区规划总面积为3.43平方公里,规划建设公共行政研发中心、原材料、晶硅电池及组件、CIGS(铜铟镓硒)及非晶硅薄膜电池、输变电及光伏产品配套应用5大功能区。
  新签约的这个项目将入驻起步区,总投资12亿元,占地130亩。项目建成投产后,年生产聚焦砷化镓太阳能电池及6英寸IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片30万片,可新增销售收入8亿元,利税3.5亿元,安置就业500人。

 
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